電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮(dan)化鋁(lv)陶瓷常(chang)壓(ya)燒(shao)結(jie)致密化抗水(shui)性自擴散系數小,通常(chang)需要熱壓(ya)燒(shao)結(jie)才能制(zhi)備(bei)出高(gao)致密的氮(dan)化鋁(lv)陶瓷2.2實驗(yan)儀器設備(bei)和原料31-322.3實驗(yan)方法32-332.3。
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氮化鋁(lv)陶瓷導(dao)熱(re)性能(neng)良好,是集成電路(lu)基板和電子封(feng)裝的理想材料。但氮化鋁(lv)為強(qiang)共(gong)價(jia)鍵結合物,熔點(dian)高,自(zi)擴散系數小,通常需要熱(re)壓燒結才能(neng)制備出高致(zhi)密的氮化鋁(lv)陶瓷。并且。
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氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)(AlN)燒結(jie)爐(lu)溫度均勻(yun)性(xing)批量生(sheng)產《電子工(gong)業(ye)專用(yong)設備》2010年06期加入(ru)收藏投稿氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)尤其是在(zai)氮(dan)(dan)化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)批量生(sheng)產過程中,陶瓷(ci)燒結(jie)爐(lu)的溫度不均勻(yun)。
電子封裝用AlN燒結工藝及機理
但近(jin)幾年國(guo)際上很多國(guo)家在(zai)重(zhong)(zhong)視AlN基片材料研發工作的(de)(de)同時,對氮化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)燒結爐(lu)的(de)(de)制備(bei)也(ye)越(yue)來(lai)越(yue)重(zhong)(zhong)視,由此孕育出一些(xie)專(zhuan)業的(de)(de)氮化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)燒結設備(bei)制造商,尤其(qi)是美國(guo)和日本。
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本文(wen)通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添(tian)加(jia)劑(ji),研(yan)究不(bu)同添(tian)加(jia)劑(ji)對注射成型低溫(wen)燒結AlN提高致(zhi)密度和(he)熱導率(lv)的作用。實驗結果表明,使用Li2CO3,CaF2和(he)Y2O3。
氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網
采用微波高溫燒(shao)(shao)結工(gong)藝,制備了致密的AlN陶(tao)瓷(ci)(ci),并初步探討了微波燒(shao)(shao)成環境(jing)對燒(shao)(shao)結體燒(shao)(shao)結陶(tao)瓷(ci)(ci)加(jia)工(gong)陶(tao)瓷(ci)(ci)相(xiang)陶(tao)瓷(ci)(ci)量塊陶(tao)瓷(ci)(ci)英語陶(tao)瓷(ci)(ci)機(ji)械陶(tao)瓷(ci)(ci)件陶(tao)瓷(ci)(ci)帽陶(tao)瓷(ci)(ci)設(she)備。
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氮化鋁燒(shao)結級(ji)AlN-010-A1S產(chan)品(pin)AlN-010-A1S氮化鋁粉體經過成型燒(shao)結程序制成:用(yong)於射頻(pin)IC、高(gao)(gao)(gao)功(gong)率(lv)IC、LED晶片載板(ban),高(gao)(gao)(gao)導熱電子基板(ban),LED路燈熱電燈板(ban),高(gao)(gao)(gao)導熱共燒(shao)陶(tao)瓷。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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氮(dan)化鋁脫膠燒結爐供應分(fen)類(lei)導航行業設(she)備(bei)相關類(lei)別塑料機(ji)械塑機(ji)輔機(ji)橡膠機(ji)械包(bao)裝設(she)備(bei)印刷設(she)備(bei)混(hun)凝土機(ji)械挖(wa)掘機(ji)械園林、市政(zheng)工..選礦設(she)備(bei)。
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微波(bo)(bo)燒(shao)(shao)結(jie)設備主(zhu)要應用于燒(shao)(shao)結(jie)各(ge)種高品質的(de)陶瓷、氮(dan)化硅、碳化硅、氧化鋁、氮(dan)化鋁、氧化鋯(gao)等(deng);燒(shao)(shao)結(jie)電子陶瓷器件:PZT壓(ya)電陶瓷、壓(ya)敏電阻等(deng)。所謂微波(bo)(bo)燒(shao)(shao)結(jie)或(huo)微波(bo)(bo)燃燒(shao)(shao)合成。
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供應:燒結氮化鋁(lv)(工藝技術資(zi)料配方圖紙參數(shu))光盤(pan)當前價格(ge):200.00元1-BG52096含碳的氮化鋁(lv)燒結體以及用于半(ban)導體制造檢測設備(bei)的陶瓷基材2-BG。
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一種氮(dan)化(hua)鋁陶瓷(ci)的(de)(de)低溫(wen)燒結(jie)(jie),包括氮(dan)化(hua)鋁起(qi)始粉(fen)料(liao)選(xuan)擇,添(tian)加物的(de)(de)選(xuan)擇以及(ji)燒結(jie)(jie)工(gong)藝參(can)數的(de)(de)選(xuan)擇。其特(te)征在于:(1)以碳熱還原法及(ji)高溫(wen)自蔓延合成法制(zhi)備的(de)(de)AlN粉(fen)體(ti)為起(qi)始。
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微波(bo)燒結設備(bei)紙(zhi)箱(xiang)刀(dao)具綠碳化硅砂倒角刀(dao)具優質(zhi)刀(dao)具泰珂(ke)洛刀(dao)具導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉(fen)/氮化鋁/氮化鋁粉(fen)導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉(fen)/氮化鋁/氮化鋁粉(fen)填充/填充劑/。
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本(ben)發明目的(de)(de)是提供一(yi)種能保持10#+〔8〕Ω.cm或更大(da)的(de)(de)體(ti)積(ji)電阻率的(de)(de)氮化(hua)鋁燒結(jie)體(ti),能保證(zheng)覆蓋能力,大(da)的(de)(de)輻射(she)熱量和(he)用溫度(du)顯示器測定時的(de)(de)準確度(du)。本(ben)發明的(de)(de)含(han)碳(tan)氮化(hua)。
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一種氮化鋁燒結體,其特(te)征在(zai)于包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選(xuan)擇的少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華順系列陶瓷(ci)覆(fu)銅板(氮化(hua)鋁、氧(yang)化(hua)鋁、氮化(hua)硅)燒結爐(lu)廣泛應用於陶瓷(ci)覆(fu)銅板(DBC0在保護氣氛中的鍵合(he)、熱處理等工(gong)序。設備針對(dui)陶瓷(ci)復(fu)合(he)的特殊工(gong)藝特點(dian)設計了專有的。
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文]3.2.5高(gao)壓設備(bei)(bei)的(de)高(gao)精度控制系統3.2.6腔體(ti)介質材料的(de)選擇(ze)3.2.7加熱源石(shi)墨3.3高(gao)壓燒結腔體(ti)設計3.4高(gao)壓燒結AlN陶瓷制備(bei)(bei)工藝流程3.4.1高(gao)壓燒結AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論(lun)文天(tian)下提供的<AlN粉末的制備、低溫燒結及(ji)其注(zhu)射成形(xing)技術的研究(jiu);論(lun)文包括氮化鋁陶瓷材料注(zhu)射成形(xing)低溫燒結復合陶瓷制備低溫燒結注(zhu)射等其他相(xiang)關內容論(lun)文。
氮化鋁陶瓷-博庫網
本發明(ming)提(ti)供一種高純(chun)度氮化鋁燒結體,其在氮化鋁燒結體制造時,有效地除(chu)去原料粉(fen)末中所含的氧化物,且(qie)通過原料粉(fen)末中所含的氧化物與燒結助劑反應來防(fang)止生成(cheng)的復合(he)氧化。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
3.2.5高壓(ya)設(she)備(bei)的高精(jing)度(du)控制系統3.2.6腔體介質材料的選擇3.2.7加熱源石墨3.3高壓(ya)燒結(jie)腔體設(she)計3.4高壓(ya)燒結(jie)AlN陶瓷(ci)制備(bei)工藝流程(cheng)3.4.1高壓(ya)燒結(jie)AlN。
氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱(re)壓燒結(jie)(jie)AlN陶瓷,以(yi)自蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉(fen)體為原(yuan)料,以(yi)Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒結(jie)(jie)助劑,采用熱(re)壓燒結(jie)(jie)工藝制備AlN陶瓷。結(jie)(jie)果表明,采用燒結(jie)(jie)助劑,在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文(wen)探索了(le)AlN陶(tao)瓷(ci)的燒(shao)結技(ji)術(shu),利用本實驗室原位(wei)合成技(ji)術(shu)合成的AlN粉末制備出了(le)高致密,高導(dao)熱的AlN陶(tao)瓷(ci)。研究了(le)AlN陶(tao)瓷(ci)的常壓(ya)燒(shao)結技(ji)術(shu)。通過熱力學條件和相圖的。
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熱壓燒結AlN陶瓷-熱壓燒結AlN熱導率顯微結構
研磨設備;壓(ya)制和燒結設備;磨刷輪;鉆頭環(huan);電子元器件;粉體(ti)材料;氮化鋁基板;拋光夾具;主營行業(ye):研磨設備;壓(ya)制和燒結所在地:上(shang)海上(shang)海市長寧區天山供應(ying)產品:。
氮化鋁陶瓷的燒結技術_材料學_論文網
41、含碳的(de)氮(dan)化鋁(lv)燒結體以(yi)及用于半導體制造檢測設備(bei)的(de)陶瓷基(ji)材(cai)收錄氮(dan)化鋁(lv)陶瓷相關期刊文(wen)獻151項1、海門建(jian)成氮(dan)化硅陶瓷基(ji)地2、高壓氮(dan)氣中自蔓(man)延燃燒合成氮(dan)化鋁(lv)。
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抗折(zhe)強度高(gao),可以常(chang)壓在1600°C燒(shao)結,是一種高(gao)功(gong)率集成電路基片(pian)的(de)未來使用材料晉盈科技發展有限(xian)公司樂意提供氮化鋁(lv)AlN整線設備,研(yan)發生產光傳輸特性優良的(de)基片(pian)。
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32CN00809591.4半(ban)導(dao)體加工設備的(de)防(fang)腐(fu)組(zu)件及其制造方法33CN02106821.6用于半(ban)導(dao)體和功(gong)率模件的(de)絕緣襯底板34CN02115663.8放電等離子燒結(jie)法制備氮化鋁(lv)透明陶瓷35。