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有(you)研究(jiu)者以(yi)Al2O3為(wei)添加劑,通過熱壓(ya)燒結(jie)(jie)工藝(yi),也實(shi)現了碳化硅的致(zhi)密化,并(bing)認為(wei)其機理是液(ye)相燒結(jie)(jie)。此外,還有(you)研究(jiu)者分(fen)別(bie)以(yi)B4C、B或(huo)B與(yu)C,Al2O3和(he)C、Al2O3和(he)Y2O3。

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2008年12月(yue)29日-西安理(li)工大(da)學(xue)承(cheng)擔的陜(shan)西重大(da)科技創(chuang)新項目(mu)“大(da)直(zhi)徑碳化(hua)硅晶體(ti)生長工藝及設備(2005ZKC05-02)”于2008年12月(yue)24日通過驗(yan)收。由(you)陜(shan)西省科學(xue)技術廳會同省。

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2006年7月6日-西(xi)安理工大(da)學電(dian)子工程系(xi)陳治明教授承擔的陜西(xi)省(sheng)重大(da)科技創新項目“大(da)直徑碳化硅晶體生長工藝(yi)及設備”進展(zhan)順利,目前已用該(gai)課題組(zu)自行研制(zhi)、具有(you)自主知識產(chan)權。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”

[摘要]一種制(zhi)造單晶碳化硅薄膜的(de)設備(bei),包括適于接(jie)受成(cheng)膜用的(de)SOI基材100的(de)成(cheng)膜利用本(ben)發(fa)明的(de)方(fang)法制(zhi)備(bei)碳化硅納米棒,其工藝實施簡單、易于大(da)批(pi)量生產、制(zhi)備(bei)溫度(du)低。

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2011年6月14日-適合于采用“新料法”生產工藝冶煉碳化(hua)硅。但(dan)是,太(tai)西(xi)煤灰分較高,一般在57、選用低“鐵(tie)污染”破碎設備進行(xing)加(jia)工碳化(hua)硅作為(wei)產品銷售時(shi),要對碳化(hua)硅。

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