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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這一(yi)項目采用(yong)碳化硅(gui)(gui)單結晶加工(gong)物做為粉(fen)碎(sui)介質、應用(yong)水流(liu)粉(fen)碎(sui)機、粉(fen)碎(sui)工(gong)程(cheng)內分(fen)級和酸堿(jian)洗凈技術,開發出了純度高、雜質含(han)量低的超(chao)細(xi)碳化硅(gui)(gui)微粒,并打入了。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

論(lun)文天下提(ti)供的(de)<二次離(li)(li)子質(zhi)(zhi)譜分(fen)(fen)析(xi)碳(tan)化硅中釩雜質(zhi)(zhi)含量的(de)研究;論(lun)文包括碳(tan)化硅二次離(li)(li)子質(zhi)(zhi)譜釩摻雜定量分(fen)(fen)析(xi)二次離(li)(li)子質(zhi)(zhi)譜分(fen)(fen)析(xi)離(li)(li)子注入(ru)樣品等其他相關內容論(lun)文。

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工業碳化(hua)硅因所含(han)雜質的種類(lei)和含(han)量不同(tong),而呈淺黃、綠、藍乃黑色,透明度隨其產品適用于制造碳化(hua)硅細粉和超細陶瓷級碳化(hua)硅粉料(liao)(liao)。Electro磨料(liao)(liao)公司Electro磨料(liao)(liao)。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但是(shi)由于(yu)普通RBSC陶瓷的(de)原料雜(za)質(zhi)含量高、粒(li)徑分布寬(kuan)及(ji)成(cheng)型工藝和燒結(jie)工藝的(de)多樣化超細碳化硅(gui)(gui)微粉的(de)制(zhi)備(bei)及(ji)反應燒結(jie)碳化硅(gui)(gui)性能的(de)研(yan)究(jiu)文檔分類論文-。

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含(han)量:99.9產(chan)品規格:1000nm產(chan)品包裝:1kg/包且不會(hui)帶入雜質,是金剛(gang)石磨(mo)料的(de)理(li)想替代品;5、;;納米碳化(hua)(hua)硅(gui),超細碳化(hua)(hua)硅(gui),碳化(hua)(hua)硅(gui)相關(guan)供應(ying)商。

碳化硅_百度百科

本發明(ming)涉及一種應用X射線熒光光譜法檢測碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)雜(za)質(zhi)含量的方法,其(qi)步驟如下(xia):1、制(zhi)備(bei)測試樣(yang)片(pian);2、制(zhi)備(bei)標準樣(yang)片(pian):①提純(chun)(chun)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)提純(chun)(chun),制(zhi)備(bei)出(chu)純(chun)(chun)品碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui);③。

超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-碩士論文-

反(fan)應燒結超(chao)(chao)細SiC原位凝固/干壓成型碳(tan)(tan)密度顯微結構(gou)力學性能(neng)但(dan)是由(you)于普通(tong)RBSC陶瓷的原料雜質含(han)量高、粒徑分布1尹長霞;超(chao)(chao)細碳(tan)(tan)化(hua)硅微粉的制備及反(fan)應燒結碳(tan)(tan)化(hua)硅。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

納(na)米(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)供應信息<0.9%游離硅(gui)(gui):<0.2%金屬雜質含量(liang):400ppmD50:50-60nm比表面積:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),納(na)米(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),微米(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),超細碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),納(na)米(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),微米(mi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)。

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納米(mi)碳化硅粉體(ST-C-001)納米(mi)碳化硅粉體碳化硅超細微粉(GCQL100)參(can)數指標:純度:;99%,總含氧量:<0.9%游離(li)硅:<0.2%金屬(shu)雜質(zhi)含量:400。

張波—碳化硅_百度文庫

(編(bian)號(hao):WND1109723-0059-0005)一(yi)種高(gao)純超細碳(tan)化硅(gui)*粉回收提純分級技(ji)(ji)術(shu)[技(ji)(ji)術(shu)摘(zhai)要(yao)(編(bian)號(hao):WND1109723-0068-0007)應用X射線熒(ying)光光譜法檢測碳(tan)化硅(gui)雜(za)質含量(liang)的方(fang)法(。

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2011年6月13日-提高(gao)產品質量,減少碳化硅產品中的雜質成份含量。提高(gao)碳化硅產品的純度、的晶體(ti)在破(po)碎時,因強(qiang)度低,韌(ren)性(xing)差,受(shou)外力作(zuo)用首(shou)先被粉碎成粉狀顆粒(li)或超細。

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2013年4月(yue)3日-有(you)的(de)工廠采(cai)用(yong)低(di)檔原料(liao)如鐵(tie)質(zhi)砂、沉(chen)淀池和(he)收塵裝置(zhi)收集的(de)碳化(hua)硅細粉(fen)(fen)來制造微(wei)粉(fen)(fen),這(zhe)也(ye)是可行的(de)方法,且(qie)可以降低(di)制造成本。但這(zhe)些原料(liao)雜質(zhi)含(han)量(liang)多,因而必須。

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某(mou)常壓燒(shao)結(jie)陶(tao)瓷級碳化(hua)硅微(wei)粉要(yao)求(qiu)原(yuan)料平均粒度D50〈0.8μm,對原(yuan)料中雜質鐵、碳、硅的含(han)量要(yao)求(qiu)較嚴格,通過選礦和化(hua)學處理方法可使(shi)其雜質含(han)量達到(dao)標準需求(qiu),超細磨前。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結(jie)晶碳化(hua)(hua)硅(gui)制(zhi)品專(zhuan)用碳化(hua)(hua)硅(gui)粒(li)度(du)砂生(sheng)產方法(fa)7、碳化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)微粉及其生(sheng)產方法(fa)8、亞47、應用X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測(ce)碳化(hua)(hua)硅(gui)雜質含(han)量的方法(fa)48、連續碳化(hua)(hua)硅(gui)纖維制(zhi)造(zao)用油劑。

碳化硅微粉的制作方式石英粉超細石英粉精制石英粉_靈壽縣福盛

碳化硅二級(ji)碳化硅黑(hei)色碳化硅浙江碳化硅碳化硅2000超細碳化硅品名:金屬硅牌號:Si441產(chan)地:云南硅含(han)量≥:98.5雜(za)質含(han)量:。

陶瓷級碳化硅微粉提純試驗研究-維普網-倉儲式在線作品出版

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碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一(yi)種高(gao)純(chun)超(chao)細(xi)碳化硅(gui)微(wei)粉(fen)回收提純(chun)分級技(ji)術842CN990CN200910228151.1應用X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜(pu)法檢測碳化硅(gui)雜質含量的方法991CN。

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結(jie)果表明(ming),納米碳化硅粒子(zi)能在很(hen)低(di)的含量(liang)下提(ti)高環氧樹脂耐磨(mo)性(xing)、并降低(di)其摩擦系(xi)數336.劉玲(ling),黃爭(zheng)鳴,周燁欣,徐(xu)貴營.超細(xi)纖維(wei)增強復合材料Ⅰ型層間斷(duan)裂韌性(xing)。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱(re)分解(jie)溫度降低在宏觀上可能(neng)是由于雜質在本體溶液(ye)中的(de)依(yi)數性熱(re)力學(xue)效應所導致。通過掃描電鏡分析發現,當納米碳化硅SiC含量(liang)為(wei)1%時(shi),晶胞尺寸增大到了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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合成(cheng)(cheng)碳化(hua)硅產(chan)品的提(ti)純(chun)(chun)方面(mian)的信(xin)息(xi),提(ti)純(chun)(chun)方法與(yu)提(ti)純(chun)(chun)結果等(deng),特別是對其(qi)中雜質鐵(tie)的去除合成(cheng)(cheng)的超細粉(fen)β—SiC含量為(wei)88.07%(SiO_2轉(zhuan)化(hua)率為(wei)97.44%).期間分析了煤矸石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛(gang)砂(金剛(gang)沙)純碳(tan)化(hua)硅(gui)是無色(se)透明的(de)晶體。工(gong)業(ye)碳(tan)化(hua)硅(gui)因所含(han)雜質的(de)種(zhong)類和含(han)量(liang)不同,而呈淺黃、綠、藍乃06-19批發(fa)零售碳(tan)化(hua)硅(gui)粉(價(jia)格優惠)碳(tan)化(hua)硅(gui)粉黑碳(tan)化(hua)硅(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年12月28日-碳化(hua)硅冶煉時的分(fen)解過程(cheng),實質(zhi)上是產品(pin)的凈化(hua)過程(cheng)。分(fen)解過程(cheng)次數(shu)越(yue)多,產品(pin)凈化(hua)程(cheng)度(du)充分(fen),凈化(hua)程(cheng)度(du)越(yue)徹底,終的產品(pin)越(yue)純凈,產品(pin)中雜(za)質(zhi)含量(liang)越(yue)少,其韌性。

碳化硅的純度問題

其(qi)中(zhong),雜(za)質(zhi)(zhi)少的(de)呈(cheng)綠色(se),雜(za)質(zhi)(zhi)多的(de)呈(cheng)黑色(se)。2、化(hua)(hua)在高溫(wen)下發生反應,由此制備納米級的(de)β-碳化(hua)(hua)硅超細粉氧含(han)量(liang)(liang)高低,通常C的(de)添加量(liang)(liang)與碳化(hua)(hua)硅粉料中(zhong)的(de)氧含(han)量(liang)(liang)。

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如(ru)碲化鉛(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫(liu)化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)等。與金屬材料不同(tong),半導體中雜質含量(liang)和外(wai)界條件的改變(如(ru)溫(wen)度變化、受(shou)光照(zhao)射等),都(dou)會(hui)使半導體的。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)是無色透明的(de)晶(jing)體。工業(ye)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)因所含雜質的(de)種類和含量不(bu)同,而(er)呈淺黃、綠、藍乃黑色,透明度隨其純度不(bu)同而(er)異。碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)晶(jing)體結構分(fen)為六(liu)方(fang)或菱面體的(de)α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種(zhong)碳化硅納米纖(xian)維(wei)的制(zhi)備方(fang)(fang)法,它涉及一種(zhong)陶瓷纖(xian)維(wei)的制(zhi)備工藝。為了解(jie)決(jue)現有(you)方(fang)(fang)法纖(xian)維(wei)的雜質含量極低,纖(xian)維(wei)的直徑(jing)在(zai)(zai)20~200nm之間,長度在(zai)(zai)幾個毫米之間,表面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月(yue)19日-1041CN200810050205.5一種高純超細(xi)碳(tan)化硅微粉(fen)回收提純分級(ji)技(ji)術1042CN1190CN200910228151.1應(ying)用(yong)X射(she)線熒光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜法檢測碳(tan)化硅雜質含(han)量的方(fang)法1191CN。

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碳化(hua)硅超(chao)細粉體(ti)的制備和流態化(hua)處理(li)導出添(tian)加到(dao)引用通知(zhi)分享到(dao)下載PDF閱(yue)讀雜(za)質相分布等(deng)有決定性的影響(xiang),從而直接影響(xiang)著與這些微結結構密切(qie)相關的材料力學。

一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊凱華碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉生產各種型號碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉,碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)超(chao)細微粉,純度高、粒(li)型好(hao)、更穩定,用于反應燒結(jie)、五(wu)壓燒結(jie)、硅(gui)(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)新工藝、研磨拋、光防腐、涂腐、尾氣處理(DPF)。

碳化硅生產及應用技術(3)500項-阿里巴巴創業資訊

產(chan)品碳(tan)化硅微(wei)粉磨(mo)(mo),超(chao)細粉碎機,氣流分號機,閃蒸干(gan)燥設備,內分級超(chao)細磨(mo)(mo),礦渣超(chao)細磨(mo)(mo)防敏感材(cai)料,使設備磨(mo)(mo)損(sun)小而(er)產(chan)品純度(du)(總雜質(zhi)含量(liang)小于4ppm,含空氣帶入雜質(zhi)。

碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘要(yao):采(cai)用納米碳化硅(nm-SiC)對氰酸(suan)酯樹脂(CE下抽真空4h,除(chu)去吸附(fu)的水分及小分子雜質,密(mi)封納米SiC:粒徑4060nm,灰綠(lv)色超(chao)細粉末,合肥。

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