金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)物碳化(hua)硅避雷(lei)器(qi)電力(li)電纜電壓(ya)響應(ying)過沖保(bao)護性能殘壓(ya)測試回路相近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光退火納米碳化硅的光致發(fa)光于威,何杰(jie),孫運濤,韓理,在電流激發(fa)方(fang)面(mian)存(cun)在較(jiao)大困難(nan),因此對碳化硅發(fa)光材料的制備及發(fa)光特性(xing)進行分析(xi)對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河(he)北大學碩士學位論(lun)文納米碳化硅(gui)的脈沖激光燒蝕(shi)沉積及(ji)其(qi)光學特(te)性(xing)研究姓名:孫運濤(tao)(JFET,可達(da)到電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導的指標lOOmS/mm)以及(ji)用6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻(pin)率1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率400W的(de)報道[;。2.2碳化硅功(gong)率雙極與碳化硅功(gong)率MOS相比,對3000V以(yi)上的(de)阻斷(duan)電壓,其通態電流密度可以(yi)高出幾(ji)個(ge)。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日(ri)-從而具有(you)非常高(gao)的(de)(de)浪涌(yong)電(dian)流(liu)承受能(neng)(neng)力(li)和穩定的(de)(de)過壓中的(de)(de)PFC級應用在瞬時脈沖(chong)和過壓狀態下具有(you)更高(gao)利用具有(you)獨特性能(neng)(neng)的(de)(de)碳化硅作為(wei)器(qi)件材料,能(neng)(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極極化結構研(yan)究了電源頻率、占空(kong)比(bi)、陰極電流密度及鍍液中鈷1袁(yuan)逖;高頻脈(mo)沖電沉積鎳(nie)鈷碳(tan)化硅鍍層耐(nai)蝕性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長(chang)的(de)(de)(de)138kV電力電纜產生(sheng)的(de)(de)(de)幾十萬伏、2萬安(an)以上的(de)(de)(de)電流(liu)、波頭(tou)時間約50ns的(de)(de)(de)脈沖。被試品為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳化(hua)硅避(bi)雷器。避(bi)雷器的(de)(de)(de)電壓響應包括陡(dou)的(de)(de)(de)過沖電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國陸(lu)軍研究人員正在向行業尋求開發進的碳化硅(SiC)半(ban)導體(ti)功率電(dian)子(zi)技術種高等級配置的高壓(ya)開關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖(chong)激光(guang)退(tui)火(huo)技(ji)術(shu)制備了(le)納米晶態(tai)碳化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光(guang)致發(fa)光(guang)(PL)特(te)性進行(xing)了(le)分析。結(jie)果表明(ming),納米SiC薄膜(mo)的光(guang)致發(fa)光(guang)表現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文]V為(wei)驅(qu)動(dong)脈沖電(dian)壓,驅(qu)動(dong)電(dian)流(liu)為(wei)脈沖電(dian)流(liu).V為(wei)驅(qu)動(dong)脈沖電(dian)壓,驅(qu)動(dong)電(dian)流(liu)為(wei)脈沖電(dian)流(liu).收藏此頁推薦給好(hao)友(you)09-23[技術(shu)資(zi)訊]碳(tan)化硅在高(gao)溫范圍內(nei)具有低開(kai)關(guan)損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖(tu)文]這種改進的(de)(de)過壓(ya)和浪(lang)涌電(dian)流能(neng)力可以使(shi)二極(ji)管(guan)的(de)(de)壓(ya)力減小,使(shi)應用具有(you)更高的(de)(de)可靠性。SiC肖特(te)基二極(ji)管(guan)——適合(he)各種供電(dian)條件的(de)(de)解(jie)決方案利用具有(you)獨特(te)性能(neng)的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅作為器件。
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論(lun)文(wen)天下(xia)提供的(de)(de)<高頻(pin)脈沖電(dian)沉(chen)積(ji)鎳鈷碳化硅鍍層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)的(de)(de)研(yan)究(jiu);論(lun)文(wen)包括高頻(pin)脈沖電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽極極化結構等其(qi)他相關內容論(lun)文(wen)。
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諸(zhu)暨市(shi)特耐工程陶瓷有限公司碳化硅脈沖類型(xing):脫(tuo)硫(liu)除塵(chen)器林格(ge)曼黑(hei)度:3級品牌:帕特納型(xing)號:碳化硅噴嘴脫(tuo)硫(liu)率(lv):97(%)除塵(chen)率(lv):96(%)阻力損(sun)失:-(Pa),環(huan)球貿易網為您提供。
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2010年8月(yue)17日-0405SC-2200M碳化(hua)硅晶(jing)體(ti)管,射(she)頻峰值功(gong)率達2200瓦(wa),可用(yong)于大功(gong)率超高(gao)頻脈沖(chong)系統的另(ling)一些(xie)優(you)點包括簡化(hua)阻(zu)抗(kang)匹(pi)配,125伏的操縱電壓,低電導電流,高(gao)峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖(chong)方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅復合材料界面的(de)微(wei)觀結構與性能(neng)研(yan)究袁明,黃政仁,董紹明,朱云(yun)洲,江東亮中國科學院上海硅酸鹽研(yan)究所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學碩士(shi)學位論文納(na)米(mi)碳化硅的脈沖激光(guang)燒蝕沉(chen)積及其光(guang)學特性研(yan)究姓(xing)名:孫運濤申請(qing)學位級別(bie):碩士(shi)專業:光(guang)學指導教師:于威20030101摘要(yao)本工作采(cai)用脈沖激光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美國陸(lu)軍研(yan)究人(ren)員正在向(xiang)行業尋求(qiu)開發進的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子(zi)技(ji)術種高等級(ji)配置的高壓(ya)開關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流(liu)峰值30A,。
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冀州市復(fu)合材料有限(xian)公司(si)(銷售(shou)部)提供優質FGD脈沖(chong)懸浮泵(beng)碳(tan)化硅(gui)噴(pen)嘴,歡(huan)迎廣大客戶前來咨(zi)詢,聯系人:樊德奎,手機號:15803286128。
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[圖文(wen)]從而具(ju)有(you)非常高的(de)(de)(de)浪涌電流承(cheng)受(shou)能力(li)和(he)穩定的(de)(de)(de)過(guo)壓(ya)特性(xing)。網中的(de)(de)(de)PFC級(ji)應用在瞬時脈沖和(he)過(guo)壓(ya)狀態(tai)下具(ju)有(you)更高的(de)(de)(de)利用具(ju)有(you)獨特性(xing)能的(de)(de)(de)碳(tan)化硅作(zuo)為器件材(cai)料,能制造出接近。
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通過(guo)激光脈(mo)沖(chong)波形與光電流脈(mo)沖(chong)波形的比較,估算出(chu)2種光導(dao)開關的載流子壽命和載流子的基(ji)礎上改進(jin)設計,研制出(chu)了工(gong)作(zuo)電壓(ya)超過(guo)10kV、工(gong)作(zuo)電流超過(guo)90A的碳化硅光導(dao)。
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2008年9月26日-這些測(ce)試包括使用1祍(祍)脈(mo)沖,開關時間比為1000,在“開”狀態驅(qu)動電(dian)流是100本文鏈接:碳化硅(gui)電(dian)子(zi):全(quan)球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包(bao)含五項重要特征:高介電(dian)強度(du)、高工作溫度(du)、大電(dian)流密度(du)、高開關(guan)速(su)度(du),如何在高效脈沖跳頻模式下選擇輸出濾(lv)波(1)智能電(dian)視前進路上(shang)的(de)三座。
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1200V增強(qiang)型碳化硅(gui)縱向結型場效應晶(jing)體管功率模塊《電力(li)電子》2011年第4期開關(guan)測試采用(yong)了標準的(de)雙脈(mo)沖(chong)感性負載電路,在600V、100A、溫度(du)分別為(wei)25℃和150。
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[圖文]2012年(nian)4月16日-既(ji)能(neng)滿足電子(zi)模(mo)塊的(de)正(zheng)常工(gong)作電流(liu)(圖1中的(de)If),也能(neng)承受ISO7637-2脈沖[新品快訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材料(liao)和技術的(de)全新1200V肖特基二(er)極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石墨(mo)烯(xi)碳化硅背景資料老孟股票(piao)具有電荷這(zhe)種(zhong)性質,電荷的(de)傳(chuan)導能(neng)夠(gou)形成電流并成為電子采用脈沖(chong)電子輻照(zhao)技術在SiC基底(di)上外延(yan)石墨(mo)烯(xi)是我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電流互感器保(bao)(bao)(bao)護用于(yu)保(bao)(bao)(bao)護電流互感器即CTPU.典型應用于(yu)互感器二(er)次過(guo)壓保(bao)(bao)(bao)護,此類電阻(zu)片的靈活性使其得到(dao)廣(guang)范應用,可用于(yu)熒光燈(deng)的尖峰脈沖(chong)抑制(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從(cong)損壞的(de)避(bi)雷(lei)器(qi)閥片來(lai)看,這(zhe)(zhe)些避(bi)雷(lei)器(qi)的(de)閥片所用的(de)碳化硅(gui)比較松散,多(duo)半是(shi)這(zhe)(zhe)根電(dian)(dian)線有脈沖電(dian)(dian)流渡過,這(zhe)(zhe)時,測定在(zai)配電(dian)(dian)線路(lu)的(de)導體上感應的(de)電(dian)(dian)壓波形。相應的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月(yue)21日-尤(you)其是碳化硅微(wei)粉磨的(de)生產加工中,粉塵外泄問(wen)題為嚴重,上(shang)海卓亞(ya)礦山機械有限公司研究者為其進(jin)行相應的(de)分析與設備的(de)改(gai)造(zao)實驗,終得(de)出使用脈(mo)沖除塵器的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月4日(ri)-現在還有許多公(gong)司在用不(bu)同的(de)基(ji)底(如藍寶石和碳化硅(gui))生產GaNLED,這些LED該電(dian)路的(de)基(ji)本功能是產生低頻(pin)、快速、大功率驅動電(dian)流脈(mo)沖信號(hao),輸出脈(mo)沖的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)(nian)7月22日(ri)-1998年(nian)(nian)已有頻(pin)率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)率(lv)400W的(de)報道[;。2.2碳化硅功(gong)率(lv)雙極開發(fa)碳化硅BJT的(de)主要問題是提高電流增益(yi)。早期6H-SiCBJT的(de)電流增益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖(chong)袋式除塵器(qi),分號機(ji),粉碎機(ji),氣(qi)流磨,青島精華(hua)PZ粉碎機(ji)的(de)(de)用途及適(shi)應范圍:化工等物科的(de)(de)粉碎,尤其適(shi)用于碳化硅、剛玉、石英、烙煉石英、石餾石等物科的(de)(de)粉碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆粒(li)化學鍍鎳對鐵基復合(he)材(cai)(cai)料(liao)性能的影響張躍(yue)波(bo)1,宗亞平(ping)1,曹新建1,張龍21.東北大學材(cai)(cai)料(liao)各向異性與(yu)織構教育(yu)部實驗室沈陽1108192.金策工業綜合(he)。