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一種用四氯(lv)化硅(gui)(gui)與液(ye)氨在有機溶(rong)劑界(jie)面(mian)反應生成硅(gui)(gui)亞(ya)胺,然(ran)后將其(qi)加熱(re)分解(jie)制(zhi)得(de)氮化硅(gui)(gui)粉末(mo)的(de)方(fang)法及(ji)設備,其(qi)特。
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101136305納米級氮(dan)化(hua)硅(gui)復合(he)材料發(fa)熱體及(ji)制作工藝[摘要]本(ben)發(fa)明(ming)是對氮(dan)化(hua)硅(gui)發(fa)熱$902158760低壓燃(ran)(ran)燒合(he)成氮(dan)化(hua)硅(gui)或(huo)氮(dan)化(hua)硅(gui)鐵的(de)方法及(ji)設備[摘要]低壓燃(ran)(ran)燒合(he)成。
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22.氮化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱(re)體(ti)及(ji)其制(zhi)(zhi)造方法(fa)23.氮化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱(re)裝置24.氮化(hua)(hua)硅(gui)粉.其燒結體(ti).基板.及(ji)由此(ci)的電(dian)路板和熱(re)電(dian)元件(jian)模塊25.氮化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制(zhi)(zhi)造方法(fa)26.氮化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制(zhi)(zhi)造方法(fa)及(ji)設備。
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2第(di)三(san)節(jie):3第(di)四節(jie):4第(di)四章:氮化硅(gui)晶須(xu)主(zhu)要生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)工藝(yi)(yi)詳述節(jie):氮化硅(gui)晶須(xu)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)工藝(yi)(yi)流程圖(tu)節(jie):氮化硅(gui)晶須(xu)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)原材(cai)料及設備1.生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)。
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25氮化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造方(fang)法(fa)26氮化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造方(fang)法(fa)及設備27氮化(hua)(hua)硅(gui)粉體α相(xiang)轉(zhuan)相(xiang)裝置(zhi)28氮化(hua)(hua)硅(gui)工程陶瓷燒結(jie)新工藝29氮化(hua)(hua)硅(gui)和碳化(hua)(hua)硅(gui)一維納(na)米(mi)結(jie)構及其制備方(fang)法(fa)。
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一種制造高純度超(chao)細(xi)氮化硅(gui)的方法及設(she)備,其(qi)特征是硅(gui)烷和氨氣(qi)的氣(qi)相化學反(fan)應(ying)是在立(li)式雙(shuang)溫區(qu)流態(tai)(tai)反(fan)應(ying)器3中進行,該反(fan)應(ying)器流態(tai)(tai)床底部(bu)設(she)有不銹鋼制造的分配板31,載體。
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[圖文]25、氮化(hua)硅(gui)粉(fen)(fen)末的(de)制(zhi)(zhi)造方(fang)法(fa)26、氮化(hua)硅(gui)粉(fen)(fen)末的(de)制(zhi)(zhi)造方(fang)法(fa)及設(she)備27、氮化(hua)硅(gui)粉(fen)(fen)體(ti)α相轉(zhuan)相裝置28、氮化(hua)硅(gui)工程陶瓷燒結(jie)新(xin)工藝29、氮化(hua)硅(gui)和碳(tan)化(hua)硅(gui)一維納米結(jie)構(gou)及其制(zhi)(zhi)備方(fang)法(fa)30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮(dan)化硅的生產方法(fa)劉佩珠摘要:正(zheng)本介紹的Si_3N_4的生產方法(fa)如下:采用固體二(er)硫(liu)化硅與氣態氨反應,溫(wen)度控制(zhi)在800～1450℃,回收無定(ding)形Si_3N_4。。
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在亞微米的(de)生產(chan)制造技術(shu)中,氮化硅工藝(yi)的(de)particle已經成(cheng)為產(chan)品良率(lv)的(de)主要影響因(yin)素。本文主要針(zhen)對立式LPCVD氮。
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經(jing)營模(mo)式:生產(chan)加工聯系人(ren):童國松電話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一種造粒燃燒(shao)合(he)成氮化硅的生產(chan)方(fang)法55、氮化硅粉(fen)末的制造方(fang)法及設(she)備56。
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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制(zhi)造電池的燒結(jie)(jie)鎘負極的方法(fa)及其制(zhi)造產品3CN70CN86100384氮化硅工程陶瓷燒結(jie)(jie)新工藝71CN86106840熱窯(yao)燒結(jie)(jie)設備與(yu)。
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[圖文]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研究了等離(li)子增強(qiang)化(hua)(hua)學(xue)氣(qi)相(xiang)淀積(PECVD)工藝中射頻(pin)(pin)條(tiao)件(jian)(功率和頻(pin)(pin)率)對(dui)氮化(hua)(hua)硅薄膜應力的影響(xiang)。對(dui)于不同射頻(pin)(pin)條(tiao)件(jian)下薄膜的測試結果表明:低頻(pin)(pin)(LF)時氮化(hua)(hua)硅。
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氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)收集平臺,涉(she)及(ji)多晶硅(gui)生產設備(bei)領域,尤(you)其是涉(she)及(ji)多晶硅(gui)生產中(zhong)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)的收集臺,一種移除氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)的方(fang)(fang)法,此(ci)方(fang)(fang)法系首(shou)先提供一晶圓,其中(zhong)晶圓上已形(xing)成有一氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)。
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7-BG520氮(dan)化(hua)硅只讀存儲器的(de)結構(gou)與制造方法(fa)(fa)8-BG520低(di)壓燃燒合(he)成氮(dan)化(hua)硅或氮(dan)化(hua)硅鐵的(de)方法(fa)(fa)及設備9-BG520利用原(yuan)子(zi)層沉積法(fa)(fa)形(xing)成氮(dan)化(hua)硅間隙壁的(de)方法(fa)(fa)10-BG520密封。
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[圖(tu)文]本文主要針對(dui)立式LPCVD氮化硅爐管的氮化硅制(zhi)造工藝(yi)中(zhong)所遇到particle問(wen)題進行研究(jiu)。通過大量的對(dui)比性(xing)實驗(yan)進行排查與(yu)分析,并利用各種(zhong)先進的實驗(yan)的設備和器材(cai)找到產生(sheng)。
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第(di)四節主要(yao)生產(chan)(chan)設(she)備情況介紹(shao)第(di)四章(zhang)2011-2013年中國碳化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)(zhuan)市(shi)場(chang)圖表:碳化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)(zhuan)理(li)化(hua)性(xing)質一(yi)覽(lan)圖圖表:碳化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)(zhuan)生產(chan)(chan)工藝(yi)流程(cheng)。
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河南科技大(da)學畢(bi)業設計(ji)(論(lun)文)I噴涂(tu)工(gong)藝對(dui)氮化(hua)硅涂(tu)層品質的(de)影響(xiang)摘要鑄造因(yin)此容(rong)易(yi)在制造工(gong)藝中受石(shi)英、石(shi)墨(mo)、設備以(yi)及管道等的(de)沾污。坩堝的(de)使用一方面提高。
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通(tong)過幾(ji)年不斷技術創(chuang)新,工藝優化,積累了(le)豐富的氮(dan)化合金生(sheng)產(chan)經驗。公司擁(yong)有三個生(sheng)產(chan)車間,十幾(ji)臺國內(nei)先進(jin)的氮(dan)化物產(chan)品生(sheng)產(chan)設備,建立了(le)完發聯系(xi)信(xin)合肥(fei)開(kai)爾納(na)米。
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本(ben)廠以“業(ye)潤社會”為經(jing)營(ying)理念,憑(ping)著國內的生產設(she)備,全體員(yuan)工努(nu)力(li)進(jin)取,銳(rui)意(yi)采(cai)用先進(jin)的氣壓(ya)、熱等(deng)靜(jing)壓(ya)燒(shao)結工藝,批量生產氮化硅(gui)(Si3N4)、氧(yang)化鋯(ZrO2)。
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技術難題:1.生(sheng)產氮化硅(gui)錳從技術上采用(yong)普通硅(gui)錳和普通硅(gui)鐵作為原(yuan)料,工藝上采用(yong)物料5.所用(yong)的臥式推板窯(yao)等加(jia)熱設備(bei)利用(yong)電感(gan)應加(jia)熱方式,在微(wei)正(zheng)壓下工作,省去(qu)了真空。
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公司簡介北京金海虹氮化硅有(you)限公司是高新技術(shu)企業,開發、生產高技術(shu)氮化硅結(jie)合先進(jin)的(de)生產設備(bei),獨特的(de)生產工藝,完善的(de)檢測手(shou)段,科學的(de)管理體系,2005年5月(yue)獲得。
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你可(ke)能要查找(zhao):陶(tao)瓷生產(chan)加(jia)工(gong)機(ji)(ji)械機(ji)(ji)械及行業(ye)設(she)備詳(xiang)細信(xin)息產(chan)品(pin)規格(ge):產(chan)品(pin)數量用這種(zhong)現(xian)代先進工(gong)藝制成(cheng)的特種(zhong)陶(tao)瓷產(chan)品(pin)具有(you)密度高且均勻,尺寸精度高等(deng)優點。氮化硅。
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北(bei)京(jing)金海(hai)虹氮化(hua)硅(gui)有(you)限公(gong)司(si)(si)簡(jian)介北(bei)京(jing)金海(hai)虹氮化(hua)硅(gui)有(you)限公(gong)司(si)(si)自主研發、生(sheng)產高科技材料‘氮化(hua)硅(gui)結(jie)合碳化(hua)硅(gui)制品’,以獨特的制造(zao)工(gong)藝于國(guo)內外同行業(ye)水平,為有(you)色金屬行業(ye)。
北京金海虹氮化硅有限公司公司介紹-007商務站-全球網上貿易平臺
高純(chun)氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末(mo))使用方法發布(bu)日期:2011-11-01分離設備物性(xing)測(ce)(ce)試儀器生命科學儀器實驗(yan)箱體/安全箱水質、水分檢測(ce)(ce)。
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制作燒結鋁礬土(tu)粉的(de)設(she)備《礬土(tu)技(ji)術分析鋁礬土(tu),均勻度,氮化硅,反應(ying)催化劑(ji),剛玉陶瓷(ci),》43-BG192114一種變截(jie)面隧道窯煅燒高鋁礬土(tu)的(de)方法44-BG192114礬土(tu)面礦脫水(shui)。
北京金海虹氮化硅有限公司-企業介紹-全球五金網
,經(jing)過多年的研(yan)制(zhi)、創新,研(yan)發(fa)出全新的陶瓷(ci)配方以(yi)及一體化(hua)高(gao)純氮化(hua)硅陶瓷(ci)生產工藝。高(gao)純氮化(hua)硅陶瓷(ci)熱面發(fa)熱體燃氣設備(bei)用(yong)熱面發(fa)熱體高(gao)純氮化(hua)硅陶瓷(ci)電熱塞(sai)柴油(you)。
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并(bing)提出了對(dui)比分析的方法,在(zai)通過專業設備檢(jian)測(ce)的基礎上對(dui)成(cheng)品(pin)球(qiu)(qiu)球(qiu)(qiu)度(du)、表面粗(cu)糙度(du)研究結果表明,氮(dan)化(hua)硅陶瓷球(qiu)(qiu)能夠批(pi)量生產且球(qiu)(qiu)度(du)達到(dao)0.062μm以下,表面粗(cu)糙度(du)達到(dao)。
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反應燒(shao)結工(gong)藝生產的氮化硅(gui)使用壽(shou)命很短,材料存在很多氣(qi)孔,長期(qi)鋁液會滲入;抗熱震用于冶金(jin)、化工(gong)、紡織、印(yin)刷、包(bao)裝、食(shi)品機(ji)械、電爐設備、電力容器、變(bian)壓器等。
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種更(geng)可靠(kao)的半導體(ti)裝置(zhi)和(he)顯示裝置(zhi)的高產量制造(zao)技術且未使用于制造(zao)的設備和(he)方法作(zuo)為在有機化(hua)合物中所含的無機材料(liao),可以使用氧化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)、氧氮化(hua)硅(gui)、氮。
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經營模式(shi):生產(chan)廠(chang)家主營產(chan)品:氮化金屬粉末特種(zhong)合(he)金焊條(tiao)粉劑合(he)金粉工(gong)商公司(si)運用自己(ji)的科研成果(guo),采用先進的設備和工(gong)藝技(ji)術進行各(ge)類高純硅精細化加。