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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶瓷材料等離(li)子發射(she)光譜(pu)法微量雜質元素測定微電(dian)子工(gong)業發動(dong)機雜質分析高溫技(ji)術聚(ju)變裝置微量元素。

碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道

如碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)(hua)銦(yin)(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(SiC)等(deng)(deng)。與金屬(shu)材料不同,半(ban)(ban)導體中雜質含量和外界(jie)條(tiao)件的(de)改變(bian)(如溫度變(bian)化(hua)(hua)、受光(guang)照(zhao)射等(deng)(deng)),都(dou)會使半(ban)(ban)導體的(de)。

碳化硅_百度百科

怎樣(yang)去除碳化(hua)硅(gui)制品中的(de)雜(za)(za)質沒有(you)任何一件事物是(shi)沒有(you)雜(za)(za)質的(de),即便是(shi)很多(duo)化(hua)學(xue)原料或者(zhe)經過多(duo)重步驟產(chan)(chan)生的(de)高(gao)科技產(chan)(chan)品,所以,目前市場上出(chu)現的(de)碳化(hua)硅(gui)產(chan)(chan)品也有(you)很多(duo)雜(za)(za)質。但是(shi)。

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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司

本發(fa)明(ming)涉(she)及一種應用(yong)X射(she)線熒光光譜法(fa)檢測碳(tan)化(hua)硅雜質含(han)量的(de)(de)方法(fa),其(qi)步驟如下:1、制備(bei)測試樣(yang)片(pian);2、制備(bei)標(biao)準樣(yang)片(pian):①提純碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)制樣(yang);②碳(tan)化(hua)硅提純,制備(bei)出(chu)純品碳(tan)化(hua)硅;③。

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現在的原料主要成分是硅和碳化硅的混(hun)合物(wu),里面含(han)有少(shao)量鐵(tie)雜質,怎樣除去鐵(tie),請各位賜教,謝謝。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年12月(yue)28日-碳化(hua)硅(gui)晶體中的雜質是:鐵、鋁(lv)、鈣、鎂、硅(gui)等的氧(yang)化(hua)物(wu)(wu)和(he)碳化(hua)物(wu)(wu),以(yi)及它們的共(gong)熔物(wu)(wu)。這(zhe)些(xie)雜質在冶煉爐熱動(dong)力條件下,溫度在2100——2200℃時被蒸(zheng)發排(pai)。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳化(hua)(hua)(hua)硅因其相(xiang)較α-碳化(hua)(hua)(hua)硅擁有更高的比表面積,所(suo)以可用于(yu)非均相(xiang)催化(hua)(hua)(hua)劑的負載體(ti)。純的碳化(hua)(hua)(hua)硅是無(wu)色(se)(se)的,工業用碳化(hua)(hua)(hua)硅由于(yu)含有鐵等雜質而呈現棕色(se)(se)黑色(se)(se)晶體(ti)。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

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碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導(dao)熱(re)率:碳化(hua)硅制品的(de)導(dao)熱(re)率非(fei)常(chang)非(fei)常(chang)高,熱(re)膨脹(zhang)參數(shu)小巧,抗熱(re)震性非(fei)常(chang)非(fei)常(chang)高,是(shi)優(you)質的(de)耐火材料。3、電學屬性恒(heng)溫下工業碳化(hua)硅是(shi)一(yi)種半導(dao)體,屬雜(za)質導(dao)電性。高純度。

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舉(ju)報(bao)文(wen)檔介紹暫無(wu)描述文(wen)檔分類待分類文(wen)檔格式(shi).pdf文(wen)檔標(biao)簽加(jia)熱棒碳化硅石(shi)墨雜質數(shu)值溫(wen)度(du)評論評論的時候,請(qing)遵紀守法并注意語言文(wen)明,多給(gei)文(wen)檔。

碳化硅的特性和根本機能

碳化(hua)硅中(zhong)雜質的(de)形態(tai)-碳化(hua)硅中(zhong)雜質的(de)形態(tai)碳化(hua)硅的(de)研發成功(gong)并很好的(de)利用是(shi)市場(chang)發展過程中(zhong)的(de)一大進(jin)步(bu)點,特別是(shi)對于1893年艾奇遜(xun)的(de)發明(ming)為引子,由(you)(you)此推出的(de)國內(nei)由(you)(you)趙廣和。

供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地

2011年6月14日-碳化(hua)硅在現代工業生(sheng)產(chan)中(zhong)的應用范圍(wei)比(bi)較廣(guang)泛,比(bi)較為人(ren)們所(suo)了解的是應用于磨(mo)料、磨(mo)具(ju)領域。但是隨著科學技術的進步,人(ren)們對碳化(hua)硅的認識也逐漸深入(ru),由(you)此開(kai)發。

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碳化硅(gui)(SiC)是用石英砂、石油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑為原(yuan)料通過電阻爐(lu)高溫冶煉而(er)成。碳化硅(gui)在大自然也存在罕見的礦物(wu),莫桑石。碳化硅(gui)又稱(cheng)<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳化(hua)硅(gui);物理性(xing)質(zhi)性(xing)狀(zhuang):綠(lv)色藍黑(hei)(hei)色結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含(han)雜質(zhi)的碳化(hua)硅(gui)為綠(lv)色,固性(xing)狀(zhuang):綠(lv)色藍黑(hei)(hei)色結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含(han)雜質(zhi)的碳化(hua)硅(gui)為綠(lv)色,固溶有炭(tan)和金屬氧(yang)化(hua)物雜質(zhi)呈黑(hei)(hei)色。密(mi)。

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論(lun)文天下(xia)提供的<二次離(li)(li)子質譜分析碳(tan)化硅中釩雜質含量的研究;論(lun)文包括碳(tan)化硅二次離(li)(li)子質譜釩摻雜定量分析二次離(li)(li)子質譜分析離(li)(li)子注入樣品等其他相(xiang)關內容論(lun)文。

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2013年4月24日-碳化硅(gui)俗稱金剛石(shi),又稱碳硅(gui)石(shi),主要用(yong)作耐(nai)(nai)磨材(cai)(cai)料,耐(nai)(nai)火材(cai)(cai)料,核反應堆(dui)材(cai)(cai)料及(ji)制造電阻發熱硅(gui)碳棒(bang)(管),半導(dao)體(ti)元件,C二級管,晶(jing)體(ti)管,電器(qi)元件,火箭噴管等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產(chan)業領域:新(xin)能源光伏需求(qiu)(qiu)類(lei)型:技術服務需求(qiu)(qiu)編號:189-07制粉(fen)是(shi)碳化硅微(wei)粉(fen)生產(chan)中(zhong)的(de)重要工(gong)序,但由于碳化硅的(de)硬度較高(gao),其莫氏(shi)硬度為9.5級,在莫氏(shi)硬度標準中(zhong)僅(jin)低于金(jin)剛石。

碳化硅-搜搜百科

本(ben)文(wen)采用ICP-MS法對高純(chun)碳化硅粉表(biao)面(mian)的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕(hen)量雜質進行測(ce)定,用氫氟酸溶液(ye)浸提試(shi)樣表(biao)面(mian)雜質,用釔(yi)做內標補(bu)償(chang)。

碳化硅|化合物-查字典

一種(zhong)(zhong)無TiC雜質相(xiang)的碳(tan)(tan)化(hua)硅鈦陶瓷粉體的合(he)成(cheng)方法,其(qi)特征在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本(ben)發明公開了一種(zhong)(zhong)低成(cheng)本(ben)無TiC雜質相(xiang)的碳(tan)(tan)化(hua)硅鈦陶瓷粉體的常(chang)壓(ya)合(he)成(cheng)方法,。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

臨(lin)沂(yi)市金蒙碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)有(you)限公司(si)是(shi)一家擁有(you)國內先(xian)進的碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粒度砂,生產線(xian)和(he)工藝(yi)技術,服務熱線(xian):400-6291-618。

碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年5月9日-碳化硅(gui)電力(li)(li)電子器件(jian)研發進(jin)展與存(cun)在問題(ti),1引(yin)言(yan)借助于微(wei)電子技術(shu)的長(chang)足(zu)發展,以硅(gui)器件(jian)為基礎的電力(li)(li)電子技術(shu)因大功率場效應晶(jing)體管(功率MOS)和絕(jue)緣柵(zha)雙(shuang)極(ji)晶(jing)體。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游離硅(gui)。它一部(bu)分溶解于SiC晶(jing)體中,一部(bu)分與其雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣(gai)等(deng))形成合金而粘附于晶(jing)體上或嵌在晶(jing)體中。2、游離二氧化(hua)硅(gui)。通常(chang)存在于晶(jing)體表面。大都是(shi)由(you)于。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對(dui)SiC中基(ji)態(tai)施主能(neng)級分裂(lie)對(dui)雜(za)質電(dian)離的(de)(de)影(ying)響(xiang),與溫度(du)、摻雜(za)濃度(du)和雜(za)質能(neng)級深度(du)的(de)(de)關系(xi)(xi)進行了系(xi)(xi)統(tong)研究(jiu)。發現只(zhi)有(you)在(zai)高溫且(qie)摻雜(za)濃度(du)低(di)的(de)(de)情況下(xia),能(neng)級分裂(lie)的(de)(de)影(ying)響(xiang)很小可忽(hu)略(lve)不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮化硅結(jie)合碳化硅材料反應燒結(jie)時的(de)雜質相行為分(fen)析,郝(hao)小(xiao)勇;-陶瓷工程1998年(nian)第03期在線閱讀、文(wen)章下載(zai)。<正;l前言Si3N4結(jie)合SIC材料的(de)研究(jiu)近(jin)年(nian)來在國內發(fa)展較(jiao)快,該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分(fen)(fen)析了Si3N4結合Si3C材料(liao)反(fan)應燒結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反(fan)應行(xing)為。氮化(hua)硅(gui)結合碳化(hua)硅(gui)材料(liao)反(fan)應燒結時(shi)的雜質相行(xing)為分(fen)(fen)析前言:分(fen)(fen)析了Si3N4結合Si3C材料(liao)。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖文]目前(qian),國內(nei)使用的切(qie)割液和碳(tan)化硅微粉在線切(qie)割過程中(zhong),砂漿(jiang)中(zhong)不可避免的會(hui)混入硅粉、鐵(tie)、高聚物等雜質,部分碳(tan)化硅微粉也會(hui)因切(qie)割作用而出現破(po)損,產生的廢砂漿(jiang)很難(nan)繼續(xu)。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮(dan)化硅結合(he)碳化硅材(cai)料反(fan)應(ying)燒結時的雜(za)質(zhi)相行為(wei)分析-分析了Si3N4結合(he)Si3C材(cai)料反(fan)應(ying)燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質(zhi)相的反(fan)應(ying)行為(wei)。

黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂

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碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄(zi)博鑄泰碳(tan)素(su)有限公司碳(tan)化硅(gui)(gui)簡介(jie):碳(tan)化硅(gui)(gui)英(ying)文名稱(cheng):siliconcarbide,俗(su)稱(cheng)金剛砂。純(chun)碳(tan)化硅(gui)(gui)是無色透明(ming)的晶體。工業(ye)碳(tan)化硅(gui)(gui)因所含(han)雜質的種類和含(han)量不同,而(er)呈淺黃、綠、藍。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析-《陶瓷工程》

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